硅片测试

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.几何尺寸检测：直径、厚度、总厚度公差、中心厚度、参考面长度。

2.表面形貌检测：平整度、翘曲度、弯曲度、表面粗糙度、总扫描偏差。

3.表面质量检测：表面划痕、颗粒数量、斑点、边缘崩边、凹坑。

4.电学性能检测：电阻率、电阻率均匀性、少数载流子寿命、导电类型。

5.晶体结构检测：晶向、晶向偏角、位错密度、氧化诱生堆垛层错。

6.杂质含量检测：间隙氧含量、替代碳含量、体金属杂质浓度。

7.机械性能检测：断裂强度、维氏硬度、杨氏模量、纳米压痕测试。

8.热学性能检测：热膨胀系数、热导率、热稳定性、热应力分析。

9.化学特性检测：表面金属沾污、有机污染物残留、酸碱腐蚀速率。

10.边缘特性检测：边缘轮廓形状、边缘倒角宽度、边缘粗糙度。

11.内部缺陷检测：微缺陷分布、氧沉淀物、空位浓度、体缺陷密度。

12.掺杂特性检测：载流子浓度、掺杂元素分布、激活效率。

检测范围

单晶硅片、多晶硅片、抛光硅片、外延硅片、退火硅片、绝缘体上硅、太阳能级硅片、电子级硅片、区熔硅片、直拉硅片、回收硅片、薄膜硅片、大尺寸硅片、异形硅片、掺杂硅片、非掺杂硅片、碳化硅衬底片、氮化镓外延片

检测设备

1.非接触式几何参数测量仪：用于测量硅片的厚度、平整度及翘曲度；利用高精度传感器实现无损几何量评估。

2.四探针测试仪：测量硅片的表面电阻率及电阻率分布；通过探针接触方式评估材料的导电均匀性。

3.微波光电导衰减测试仪：检测少数载流子寿命；用于评估硅片内部的纯净度与晶体质量。

4.傅里叶变换红外光谱仪：分析硅片中的氧、碳杂质含量；利用红外吸收特征进行定量成分分析。

5.扫描电子显微镜：观察硅片表面及断面的微观形貌；通过高倍率成像识别微小缺陷与颗粒。

6.全反射荧光光谱仪：检测硅片表面的痕量金属元素；具有极高的表面化学灵敏度。

7.激光散射表面缺陷检测仪：扫描硅片表面的颗粒、划痕及凹坑；实现快速全扫描质量监控。

8.自动晶向测量仪：测定硅片的晶体取向及偏角；确保晶体切割精度符合工艺要求。

9.原子力显微镜：测量纳米级的表面粗糙度；提供三维形貌的高分辨率数字化图像。

10.自动边缘轮廓测量仪：分析硅片边缘的倒角形状与尺寸；确保边缘加工的一致性与安全性。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质